Полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре GalnP/AlGalnP с внутрирезонаторной накачкой в квантовые ямы

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Исследован впервые реализованный импульсный полупроводниковый дисковый лазер на гетероструктуре GaInP/AlGaInP с 25 квантовыми ямами, излучающий на длине волны 642.5 нм при внутрирезонаторной накачке в квантовые ямы излучением лазера на красителе с длиной волны 614.5 нм. Достигнута импульсная мощность ∼ 80 Вт при длительности импульса ∼ 0.5 мкс. Мощность ограничивается процессом разрушения структуры. Обнаружена временная модуляция излучения лазера на красителе с гетероструктурой внутри резонатора с периодом ∼ 6 нс, не равным времени обхода резонатора.

Об авторах

А. А Елшербини

Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”

Москва, Россия

В. И Козловский

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН

Email: kozlovskiyvi@lebedev.ru
Москва, Россия

Я. К Скасырский

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН

Москва, Россия

М. П Фролов

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН

Москва, Россия

Список литературы

  1. Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers.VECSEL Technology and Applications, ed. by M. Jetter and P. Michler, Wiley-VCH, Weinheim, Germany (2021).
  2. J. Hastie, S. Calvez, and M. Dawson, Semiconductor disk lasers (VECSELs), in A. Baranov and E. Tournie (editors), Semiconductor lasers: fundamentals and applications, Woodhead Publishing Limited, Sawston, Cambridge (2013).
  3. Semiconductor Disk Lasers: Physics and Technology, Ed. by O. G. Okhotnikov, Wiley-VCH Berlin, Germany (2010).
  4. M. Guina, A. H¨ark¨onen, V.-M. Korpij¨orvi, T. Leinonen, and S. Suomalainen, Advances in Optical Technologies 2012, 265010 (2012).
  5. H. P. Kahle, M. Jetter, and P. Michler, Optically Pumped Red-Emitting AlGaInP-VECSELs and the MECSEL Concept, in Vertical External Cavity Surface Emitting Lasers, ed. by M. Jetter and P. Michler, Wiley-VCH, Weinheim, Germany (2021).
  6. D. Priante, M. Zhang, A. R. Albrecht, R. Bek, M. Zimmer, and C. L. Nguyen, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 28(1), 1700407 (2022).
  7. C. M. N. Mateo, U. Brauch, H. Kahle, T. Schwarzback, M. Jetter, M. A. Ahmed, P. Michler, and T. Craf, Opt. Lett. 41(6), 1245 (2016).
  8. В. И. Козловский, С. М. Женишбеков, Я. К. Скасырский, М. П. Фролов, Квантовая электроника 53(12), 891 (2023) [Bull. Lebedev Phys. Inst. 51(S3), S191 (2024)].
  9. Y. Matsuoka, J. Phys. D: Appl. Phys. 9, 215 (1976).
  10. В. С. Владимиров, Уравнения математической физики, Наука, М. (1971), с. 260.
  11. http://www.matprop.ru/GaInP.
  12. S. D. Jacobs, D. G. Angeley, D. S. Smith, and J. C. Lambropoulos, Thermal conductivity measurements of dielectric thin films on optical substrates. Annual Meeting Optical Society of America Technical Digest Series, Optica Publishing Group, Seattle, Washington United States (1986), p. TUR4.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Российская академия наук, 2025